2025年6月，美光科技正式向合作伙伴交付基于1γ制程節(jié)點的LPDDR5X內(nèi)存認證樣品，這項突破性技術(shù)將重塑移動設備性能邊界。作為全球首款采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)的移動內(nèi)存解決方案，其10.7Gbps的傳輸速率與20%的功耗降低形成鮮明對比，配合僅0.61毫米的超薄封裝，為智能手機AI應用樹立新標準。
在技術(shù)實現(xiàn)層面，美光通過三項創(chuàng)新實現(xiàn)跨越式發(fā)展：首先，新一代HKMG晶體管技術(shù)顯著提升電荷控制效率；其次，EUV光刻工藝使芯片密度達到新高度；最后，優(yōu)化的CMOS架構(gòu)將封裝高度較前代降低14%。這些技術(shù)進步直接轉(zhuǎn)化為用戶體驗提升——實測顯示，搭載該內(nèi)存的設備運行Llama 2模型時，語音翻譯響應速度提升50%，場景化推薦效率提高30%。
美光企業(yè)副總裁暨手機和客戶端業(yè)務部門總經(jīng)理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0存儲解決方案專為Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI設備量身打造。我們與Motorola合作，為其最新款智能手機賦能，充分展現(xiàn)了高性能、低功耗的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新對于釋放端側(cè)AI全部潛力的關(guān)鍵作用。”目前送樣的16GB版本已展現(xiàn)出色能效比，而規(guī)劃中的8GB-32GB容量梯度將覆蓋不同價位旗艦機型需求。值得注意的是，這項源自移動端的技術(shù)突破正在向AI PC、車載系統(tǒng)等領(lǐng)域延伸，其低功耗特性尤其適合邊緣計算場景。
市場布局方面，美光采取雙軌策略：既滿足2026年旗艦手機量產(chǎn)需求，又為數(shù)據(jù)中心提供配套解決方案。這種協(xié)同效應源自今年初1γ DDR5內(nèi)存的研發(fā)積累，體現(xiàn)出美光在制程工藝上的持續(xù)領(lǐng)先。隨著AI工作負載向終端設備遷移，兼具高性能與低功耗特性的LPDDR5X有望成為下一代智能設備的標配內(nèi)存方案。
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